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簡(jiǎn)要描述:發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號(hào)。IsoVu™ 探頭技術(shù)實(shí)際上通過(guò)光學(xué)隔離消除了共模干擾。這樣就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基準(zhǔn)電壓上提供精確的差分測(cè)量。借助我們的 IsoVu Generation 2 設(shè)計(jì),您能獲得 IsoVu 技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì),但大小僅為原來(lái)探頭尺寸的 1/5。IsoVu Gen 2 探頭憑借多功能 MMCX 連接器以及的帶寬、動(dòng)態(tài)范圍和共模抑制組合,為隔離探頭技術(shù)設(shè)定新的標(biāo)準(zhǔn)。查看更多探針?NEW!泰克方案應(yīng)對(duì)汽車800V超充技術(shù)下電驅(qū)技術(shù)測(cè)試挑戰(zhàn)測(cè)不對(duì) SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)波形的 6 大原因測(cè)都測(cè)不對(duì)!何談抑制SiC MOSFET Crosstalk( 串?dāng)_) ?破解SiC、GaN 柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
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詳細(xì)介紹
隔離探頭使用電(光學(xué))或 RF 隔離將探頭的參考電壓與示波器的參考電壓(通常接地)隔離。這使電源設(shè)計(jì)人員能夠在存在大共模電壓的情況下準(zhǔn)確解析高帶寬、高電壓的差分信號(hào)。泰克已開(kāi)發(fā)出一項(xiàng)新技術(shù) (IsoVu),該技術(shù)使用電隔離在高帶寬內(nèi)提供同類探頭中優(yōu)秀的共模抑制性能。
與用于測(cè)量高壓信號(hào)的高帶寬傳統(tǒng)差分探頭相比,隔離性和高頻性相結(jié)合的 IsoVu 探頭為電源設(shè)計(jì)人員提供更精確的測(cè)量結(jié)果。應(yīng)用案例包括:
IsoVu 技術(shù)采用光纖供電和光模擬信號(hào)路徑,以在測(cè)量系統(tǒng)和 DUT 之間實(shí)現(xiàn)的電隔離。由于支持探頭在共模電壓下獨(dú)立浮動(dòng),隔離可大大降低共模干擾。
與 4、5 或 6 系列 MSO 相結(jié)合,IsoVu 提供一種高效、可靠的方式解決快速參考轉(zhuǎn)換的高帶寬差分信號(hào),從而使您能夠花費(fèi)更少的時(shí)間進(jìn)行各種“盲目設(shè)計(jì)"工作:
隔離可以避免差分測(cè)量誤差的常見(jiàn)來(lái)源
對(duì)于傳統(tǒng)差分探頭,您必須在高帶寬和高電壓之間做出選擇。IsoVu 探頭采用屏蔽同軸電纜和隔離功能,提供高帶寬和 ±2500V 的差分電壓范圍。
第二代IsoVu TIVP探頭提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的一系列帶寬,以適合您的預(yù)算并構(gòu)建具有特定項(xiàng)目所需性能的工作平臺(tái)。
第二代IsoVu探頭提供與我們的原始 IsoVu 探頭相同的帶寬、共模抑制性能和電壓范圍,但尺寸僅為其 1/5,且去除單獨(dú)的控制器盒。緊湊的探頭和示波器連接器中含激光器和模擬電子技術(shù)。較之原始 IsoVu 探頭,第二代光隔離探頭還具有:
IsoVu 探頭端部具有一系列可提供高性能和可及性的連接件和附件。
例如,MMCX 連接器是經(jīng)濟(jì)的、可廣泛使用的連接器,可提供穩(wěn)定的免手持的測(cè)試點(diǎn),并提供優(yōu)秀的帶寬和共模抑制。其堅(jiān)固的金屬主體屏蔽中心導(dǎo)線,并地減小接地環(huán)路面積,從而將干擾降至。
其他附件也可用于使探頭端部適應(yīng)多種連接方式。對(duì)于需要大于 ±250V 差分電壓的應(yīng)用,還可另外提供 0.100 " 和 0.200 " 間距的方針端部。
不使用探頭時(shí),傳感器探頭在探頭 SMA 連接器處具有 1MΩ 和 50Ω 可切換終端。此功能可以有效地向任何兼容示波器添加隔離通道。
閱讀有關(guān) IsoVu 附件的更多信息(含帶寬和 CMRR 圖)
型號(hào) | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電纜長(zhǎng)度 | 報(bào)價(jià) | Configure And Quote |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 | US $14,100 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 | US $20,300 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 | US $25,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 | US $31,800 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 | US $37,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 | US $43,400 | 配置和報(bào)價(jià) |
型號(hào) | 帶寬 | 差分電壓 | 共模電壓 | 共模抑制比 | 光纖電纜長(zhǎng)度 | 報(bào)價(jià) | Configure And Quote |
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TIVP02 | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 | US $14,100 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP02L | 200 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 | US $20,300 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP05 | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 | US $25,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP05L | 500 MHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 | US $31,800 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP1 | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 2 米 | US $37,900 | 配置和報(bào)價(jià) |
TIVP1L | 1 GHz | ±2500 V | ±60kV | 直流:160dB 100 MHz:100 dB 200 MHz:100 dB | 10 米 | US $43,400 | 配置和報(bào)價(jià) |
主要指標(biāo) | Tektronix TIVP(帶 TIVPMX50X 端部*) | Tektronix TIVH(帶 MMCX250X 端部*) 不再可訂購(gòu) | Tektronix THDP0200 |
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應(yīng)用 | 高壓測(cè) VGS, VDS, 寬禁帶(GaN 和 SiC)檢定,SMPS 優(yōu)化,溫度測(cè)試(使用 SMA 電纜) | 高壓測(cè) VGS, 寬禁帶(GaN 和 SiC)檢定,SMPS 優(yōu)化 | 通用, 基于 Si 和 IGBT 的電力電子設(shè)備 |
帶寬 | 200 MHz,500 MHz,1 GHz | 200 MHz,500 MHz,800 MHz | 160 MHz,200 MHz |
上升時(shí)間 | 450ps,850ps,2ns | 450ps,850ps,2ns | 1.75ns |
CMRR @DC | 150 dB | 150 dB | 80 dB |
CMRR @100 MHz | 100 dB | 85 dB | 26 dB |
差分 電壓范圍 | 通過(guò)可變?cè)鲆嬲{(diào)節(jié) 高達(dá) 3.3kV | 通過(guò)端部衰減調(diào)節(jié) 高達(dá) 2.5kV | 150V,1500V |
共模電壓范圍 | ±60kV | ±60kV | ±1500V |
偏置電壓范圍 | ±250V* | ±250V* | 50X 示波器輸入偏置范圍 ±50V(典型值) |
電壓降額 | 25 MHz以內(nèi)全量程,800 MHz 時(shí)為 20V* | 25 MHz以內(nèi)全量程,800 MHz 時(shí)為 20V* | 1 MHz以內(nèi)全量程, 100 MHz 時(shí)為 25V |
輸入阻抗 | 10 MΩ || 3 pF * | 10 M? || 2 pF | 10 M? || 2 pF |
工作溫度范圍 | 0°C 至 50°C(傳感器頭) | 0°C 至 70°C(傳感器頭) | 0°C 至 40°C |
示波器兼容性 | 4/5/6 系列 MSO | 所有 TekVPI 示波器 (包括 4/5/6 系列 MSO) | 所有 TekVPI 示波器 (包括 4/5/6 系列 MSO) |
*出于比較目的選定 THDP0200 的值
在半橋功率轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行高壓測(cè)信號(hào)測(cè)量具有挑戰(zhàn)性,因?yàn)閰⒖紲y(cè)量的源端或集端會(huì)快速上下震蕩。SiC 和 GaN FET 等寬禁帶器件甚至更難測(cè)量,因其可以在幾納秒內(nèi)切換到高電壓??焖僮兓墓材k妷核a(chǎn)生的噪聲會(huì)泄漏到差分測(cè)量中,并隱藏 VGS 和 VDS 的真實(shí)情況。IsoVu 探頭具有的全帶寬共模抑制性能,通常一次即可讓信號(hào)的真實(shí)情況一覽無(wú)余。
閱讀有關(guān)功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的更多信息
通過(guò)測(cè)量分流電阻兩端的差分電壓可輕松獲得準(zhǔn)確的電流測(cè)量值。但由于受到共模電壓的影響,這會(huì)是非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。IsoVu 憑借其高共模電壓量程和高共模抑制能力,能完成其他產(chǎn)品不能完成的測(cè)試。
如果超出功能測(cè)試范圍來(lái)解決 ESD 故障根本原因,可能會(huì)不盡如人意。使用傳統(tǒng)電探頭時(shí),即使示波器位于法拉第籠外,ESD 放電也會(huì)耦合到探頭中并沿電纜向下傳播至示波器。示波器上看到的任何波形均不能代表測(cè)試點(diǎn)實(shí)際發(fā)生的情況。但受益于光學(xué)隔離技術(shù),IsoVu 第 2 代探頭可以防止耦合,并且可以在 ESD 和 EFT 測(cè)試期間提供更準(zhǔn)確的 DUT行為,而不僅僅是簡(jiǎn)單的系統(tǒng)測(cè)試。
測(cè)量系統(tǒng)可用于以下泰克示波器。需要使用示波器1.28軟件版本或更高版本。對(duì)于未列入此列表的示波器,請(qǐng)與當(dāng)?shù)靥┛虽N售聯(lián)系。
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